基于CMOS工艺的汽车雷达硅芯片有望实现区域

据报道，佛罗里达州大学以及半导体研究公司(SRC)在开发基于CMOS工艺技术的汽车雷达集成电路上以及取得进展。

现有的雷达芯片由昂贵的材料制成，如砷化镓(GaAs)以及磷化铟(InP)。据研究人员透露，用于制造汽车雷达的电子电路价值几百美元。

新型的基于硅片的雷达芯片可能只要10美元就能制造出来，据佛罗里达大学以及SRC透露。除了若干汽车零件供应商之外，有兴趣的制造商包括IBM、TI以及飞思卡尔。

来自两家实体的研究人员声称，已经展示了第一款CMOS低噪声放大器以及50GHz正弦波发生器。重复的电子信号或正弦波发生器采用一种锁相环来稳定振荡频率，并能采用1 0纳米CMOS工艺来制造芯片。

雷达技术市场有望快速成长到2010年的20亿美元市场规模，因此，迫切需要能够买得起的雷达芯片。据世界卫生组织报告，因交通事故造成的死亡每年为120万人，另外有5000万人受伤。

“利用业已成熟的CMOS平台，芯片行业的制造商将能够驱使成本走低，”佛罗里达州大学教授、主任研究员Ken O在一次发言中说，“所规划的雷达芯片将是每一辆汽车均能配得起的，从而把目前只有少数驾驶员才拥有的安全功能推向普及。我们的梦想就是：每一位买得起汽车的人均能配备汽车雷达。”

“这将极大地增加汽车雷达芯片的市场空间，”来自SRC公司GRC部门的集成电路与系统科学总监、兼TI公司派驻SRC的代理人David Yeh说：“这种用几个美金就能够拯救生命的研究工作是一个完全令人激动的事业，这能够提升全球的生活标准。”